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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxPMGD175XN,115
PMGD175XN,115 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PMGD175XN,115 - NXP USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PMGD175XN,115
Fabricant
NXP Semiconductors
Allelco Modèle de produit
32D-PMGD175XN,115
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
Description détaillée
Emballage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
PMGD175XN.pdf
État RoHS
En stock: 5360

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PMGD175XN,115
NXP USA Inc. - PMGD175XN,115 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NXP USA Inc. - PMGD175XN,115

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant NXP Semiconductors  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-TSSOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 225mOhm @ 1A, 4.5V  
Puissance - Max 390mW  
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.1nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 900mA  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base PMGD1  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NXP USA Inc. PMGD175XN,115

Attributs du produit PMGD175XN,115 PMGD280UN,115 PMGD130UN,115 PMGD290UCEAX
Modèle de produit PMGD175XN,115 PMGD280UN,115 PMGD130UN,115 PMGD290UCEAX
Fabricant NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.3V @ 250µA
Séries - TrenchMOS™ - Automotive, AEC-Q100
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Puissance - Max 390mW 400mW 390mW 280mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 225mOhm @ 1A, 4.5V 340mOhm @ 200mA, 4.5V 145mOhm @ 1.2A, 4.5V 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 900mA 870mA 1.2A 725mA, 500mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
Tension drain-source (Vdss) 30V 20V 20V 20V
Package composant fournisseur 6-TSSOP 6-TSSOP 6-TSSOP 6-TSSOP
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 15V 45pF @ 20V 83pF @ 10V 83pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.1nC @ 4.5V 0.89nC @ 4.5V 1.3nC @ 4.5V 0.68nC @ 4.5V
Numéro de produit de base PMGD1 PMGD280 PMGD1 PMGD290

Fiche technique PMGD175XN,115 PDF

Téléchargez PMGD175XN,115 PDF DataSheets et Documentation NXP USA Inc. pour PMGD175XN,115 - NXP USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Informations environnementales
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN Obsolescence / EOL
MCU Dip Supply Situation 12/May/2015.pdf Multiple Devices 01/Jul/2014.pdf
Feuilles de données
PMGD175XN.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-PMGD175XN,115

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