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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePMG45UN,115
PMG45UN,115 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PMG45UN,115 - NXP USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PMG45UN,115
Fabricant
NXP Semiconductors
Allelco Modèle de produit
32D-PMG45UN,115
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 3A 6TSSOP
Description détaillée
Emballage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
PMG45UN Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 4280

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PMG45UN,115
NXP USA Inc. - PMG45UN,115 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NXP USA Inc. - PMG45UN,115

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant NXP Semiconductors  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-TSSOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 375mW (Ta), 4.35W (Tc)  
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 184 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.3 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta)  
Numéro de produit de base PMG45  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NXP USA Inc. PMG45UN,115

Attributs du produit PMG45UN,115 PMG85XP,115 PMG85XP,115 PMG370XN.115
Modèle de produit PMG45UN,115 PMG85XP,115 PMG85XP,115 PMG370XN.115
Fabricant NXP USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Freescale / NXP Semiconductors
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.3 nC @ 4.5 V 7.2 nC @ 4.5 V 7.2 nC @ 4.5 V -
Numéro de produit de base PMG45 PMG85 PMG85 -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.15V @ 250µA 1.15V @ 250µA -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta) 2A (Tj) 2A (Tj) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 184 pF @ 10 V 560 pF @ 10 V 560 pF @ 10 V -
Package composant fournisseur 6-TSSOP 6-TSSOP 6-TSSOP -
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel -
Dissipation de puissance (max) 375mW (Ta), 4.35W (Tc) 375mW (Ta), 2.4W (Tc) 375mW (Ta), 2.4W (Tc) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Séries - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3A, 4.5V 115mOhm @ 2A, 4.5V 115mOhm @ 2A, 4.5V -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -

Fiche technique PMG45UN,115 PDF

Téléchargez PMG45UN,115 PDF DataSheets et Documentation NXP USA Inc. pour PMG45UN,115 - NXP USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Informations environnementales
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 25/Dec/2013.pdf
Feuilles de données
PMG45UN Datasheet.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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