Spécifications techniques PH8030L,115
NXP Semiconductors / Freescale - PH8030L,115 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NXP Semiconductors / Freescale - PH8030L,115
Attributs du produit | Valeur des attributs | |
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Fabricant | NXP Semiconductors | |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA | |
Vgs (Max) | ±20V | |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Package composant fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 | |
Séries | TrenchMOS™ | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 25A, 10V | |
Dissipation de puissance (max) | 62.5W (Tc) | |
Emballage | Tape & Reel (TR) | |
Package / Boîte | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
Autres noms | 934058818115 PH8030L T/R PH8030L T/R-ND |
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Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Attributs du produit | Valeur des attributs | |
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Type de montage | Surface Mount | |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 12V | |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 15.2nC @ 4.5V | |
type de FET | N-Channel | |
Fonction FET | - | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
Description détaillée | N-Channel 30V 76.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 | |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 76.7A (Tc) |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NXP Semiconductors / Freescale PH8030L,115
Attributs du produit | ||||
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Modèle de produit | PH8030L,115 | 2SK1449 | IXTP86N20T | PJA3406_R1_00001 |
Fabricant | NXP Semiconductors / Freescale | Sanyo | IXYS | Panjit International Inc. |
Package composant fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 | - | TO-220-3 | SOT-23 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 25A, 10V | - | 29mOhm @ 500mA, 10V | 48mOhm @ 4.4A, 10V |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 12V | - | 4500 pF @ 25 V | 235 pF @ 15 V |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 76.7A (Tc) | - | 86A (Tc) | 4.4A (Ta) |
Type de montage | Surface Mount | - | Through Hole | Surface Mount |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | - | 10V | 4.5V, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 62.5W (Tc) | - | 480W (Tc) | 1.25W (Ta) |
Package / Boîte | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | - | TO-220-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Autres noms | 934058818115 PH8030L T/R PH8030L T/R-ND |
- | - | - |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Emballage | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
Vgs (Max) | ±20V | - | ±30V | ±20V |
Description détaillée | N-Channel 30V 76.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 | - | - | - |
Séries | TrenchMOS™ | * | Trench | - |
Fonction FET | - | - | - | - |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | - | 200 V | 30 V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA | - | 5V @ 1mA | 2.1V @ 250µA |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 15.2nC @ 4.5V | - | 90 nC @ 10 V | 5.8 nC @ 10 V |
type de FET | N-Channel | - | N-Channel | N-Channel |
Pays communs Référence du temps logistique | ||
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Région | Pays | Heure logistique (jour) |
Amérique | États-Unis | 5 |
Brésil | 7 | |
L'Europe | Allemagne | 5 |
Royaume-Uni | 4 | |
Italie | 5 | |
Océanie | Australie | 6 |
Nouvelle-Zélande | 5 | |
Asie | Inde | 4 |
Japon | 4 | |
Moyen-Orient | Israël | 6 |
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
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Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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