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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT38F50J
APT38F50J Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT38F50J - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
APT38F50J
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-APT38F50J
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
APT38F50J.pdf
État RoHS
En stock: 1550

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT38F50J
Microchip Technology - APT38F50J Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - APT38F50J

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOTOP®  
Séries POWER MOS 8™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 28A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 355W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 38A (Tc)  
Numéro de produit de base APT38F50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology APT38F50J

Attributs du produit APT38F50J APT38M50J APT38F80B2 APT39M60J
Modèle de produit APT38F50J APT38M50J APT38F80B2 APT39M60J
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 Variant SOT-227-4, miniBLOC
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 280 nC @ 10 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base APT38F50 APT38M50 APT38F80 APT39M60
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Chassis Mount
Séries POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ POWER MOS 8™
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 800 V 600 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 28A, 10V 100mOhm @ 28A, 10V 240mOhm @ 20A, 10V 110mOhm @ 28A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 38A (Tc) 38A (Tc) 41A (Tc) 42A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 355W (Tc) 357W (Tc) 1040W (Tc) 480W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8800 pF @ 25 V 8800 pF @ 25 V 8070 pF @ 25 V 11300 pF @ 25 V
Package composant fournisseur ISOTOP® ISOTOP® T-MAX™ [B2] ISOTOP®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique APT38F50J PDF

Téléchargez APT38F50J PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour APT38F50J - Microchip Technology.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Autre
Integration 13/May/2020.pdf
Assemblage / origine PCN
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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