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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBUK9M14-40EX
NXP USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BUK9M14-40EX - NXP USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
BUK9M14-40EX
Fabricant
NXP Semiconductors
Allelco Modèle de produit
32D-BUK9M14-40EX
Modèle ECAD
Description des pièces
BUK9M14-40E - N-CHANNEL 40V, LOG
Description détaillée
Emballage
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Fiche technique
BUK9M14-40Ex Datasheet.pdf
En stock: 4740

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BUK9M14-40EX
NXP USA Inc. - BUK9M14-40EX Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NXP USA Inc. - BUK9M14-40EX

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant NXP Semiconductors  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur LFPAK33  
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 55W (Tc)  
Package / Boîte SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1211 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.3 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 44A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NXP USA Inc. BUK9M14-40EX

Attributs du produit BUK9M14-40EX BUK9M10-30EX BUK9M15-40HX BUK9M12-60EX
Modèle de produit BUK9M14-40EX BUK9M10-30EX BUK9M15-40HX BUK9M12-60EX
Fabricant NXP USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Tension drain-source (Vdss) 40 V 30 V 40 V 60 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA 2.1V @ 1mA 2.2V @ 1mA 2.1V @ 1mA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 44A (Tc) 54A (Tc) 30A (Ta) 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 15A, 10V 7.8mOhm @ 15A, 10V 15mOhm @ 10A, 10V 11mOhm @ 15A, 10V
Package composant fournisseur LFPAK33 LFPAK33 LFPAK33 LFPAK33
Dissipation de puissance (max) 55W (Tc) 55W (Tc) 44W (Ta) 79W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V ±10V ±16V ±10V
Package / Boîte SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V 5V 4.5V, 10V 5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.3 nC @ 5 V 12.2 nC @ 5 V 16.2 nC @ 10 V -
Fonction FET - - - -
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1211 pF @ 25 V 1249 pF @ 25 V 1026 pF @ 25 V 2769 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique BUK9M14-40EX PDF

Téléchargez BUK9M14-40EX PDF DataSheets et Documentation NXP USA Inc. pour BUK9M14-40EX - NXP USA Inc..

Feuilles de données
BUK9M14-40Ex Datasheet.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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