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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBUK9M10-30EX
NXP USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BUK9M10-30EX - NXP USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
BUK9M10-30EX
Fabricant
NXP Semiconductors
Allelco Modèle de produit
32D-BUK9M10-30EX
Modèle ECAD
Description des pièces
BUK9M10-30E - N-CHANNEL 30V, LOG
Description détaillée
Emballage
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Fiche technique
BUK9M10-30E.pdf
En stock: 5200

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BUK9M10-30EX
NXP USA Inc. - BUK9M10-30EX Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NXP USA Inc. - BUK9M10-30EX

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant NXP Semiconductors  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur LFPAK33  
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 55W (Tc)  
Package / Boîte SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1249 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.2 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 54A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NXP USA Inc. BUK9M10-30EX

Attributs du produit BUK9M10-30EX BUK9M14-40EX BUK9M15-40HX BUK9M120-100EX
Modèle de produit BUK9M10-30EX BUK9M14-40EX BUK9M15-40HX BUK9M120-100EX
Fabricant NXP USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA 2.1V @ 1mA 2.2V @ 1mA 2.05V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.2 nC @ 5 V 11.3 nC @ 5 V 16.2 nC @ 10 V 8.8 nC @ 5 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V 5V 4.5V, 10V 5V
Vgs (Max) ±10V ±10V ±16V ±10V
Package composant fournisseur LFPAK33 LFPAK33 LFPAK33 LFPAK33
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 54A (Tc) 44A (Tc) 30A (Ta) 11.5A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 40 V 40 V 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 15A, 10V 11mOhm @ 15A, 10V 15mOhm @ 10A, 10V 119mOhm @ 5A, 10V
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Dissipation de puissance (max) 55W (Tc) 55W (Tc) 44W (Ta) 44W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1249 pF @ 25 V 1211 pF @ 25 V 1026 pF @ 25 V 882 pF @ 25 V
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique BUK9M10-30EX PDF

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Feuilles de données
BUK9M10-30E.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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