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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSFU9214TU
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SFU9214TU - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
SFU9214TU
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-SFU9214TU
Modèle ECAD
Description des pièces
P-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
SFU9214TU.pdf
État RoHS
En stock: 101420

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SFU9214TU
Fairchild Semiconductor - SFU9214TU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - SFU9214TU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 770mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 19W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 295 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.53A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor SFU9214TU

Attributs du produit SFU9214TU SSR1N60BTM FDMS8020 IRFP4110PBF
Modèle de produit SFU9214TU SSR1N60BTM FDMS8020 IRFP4110PBF
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 250 V 600 V 30 V 100 V
Séries - - PowerTrench® HEXFET®
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 19W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 2.5W (Ta), 65W (Tc) 370W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 7.7 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 295 pF @ 25 V 215 pF @ 25 V 3800 pF @ 15 V 9620 pF @ 50 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-PowerTDFN TO-247-3
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.53A (Tc) 900mA (Tc) 26A (Ta), 42A (Tc) 120A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur I-PAK TO-252AA 8-PQFN (5x6) TO-247AC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 770mA, 10V 12Ohm @ 450mA, 10V 2.5mOhm @ 26A, 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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