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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxNDS9953A
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NDS9953A - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
NDS9953A
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-NDS9953A
Modèle ECAD
Description des pièces
P-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
NDS9953A.pdf
État RoHS
En stock: 68980

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NDS9953A
Fairchild Semiconductor - NDS9953A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - NDS9953A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 1A, 10V  
Puissance - Max 900mW  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.9A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base NDS995  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor NDS9953A

Attributs du produit NDS9953A NDS9956A NDS9955 NDS9956A
Modèle de produit NDS9953A NDS9956A NDS9955 NDS9956A
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Numéro de produit de base NDS995 - NDS995 NDS995
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.9A 3.7A (Ta) 3A 3.7A
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA 2.8V @ 250µA 3V @ 250µA 2.8V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Puissance - Max 900mW 900mW (Ta) 900mW 900mW
Séries - - - -
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 1A, 10V 80mOhm @ 2.2A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V 80mOhm @ 2.2A, 10V
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET Logic Level Gate Standard Logic Level Gate Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 50V 30V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 27nC @ 10V 30nC @ 10V 27nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 10V 320pF @ 10V 345pF @ 25V 320pF @ 10V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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