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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxNDS9952A
NDS9952A Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NDS9952A - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NDS9952A
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NDS9952A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 30V 3.7/2.9A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
NDS9952A.pdf
État RoHS
En stock: 4590

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NDS9952A
onsemi - NDS9952A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NDS9952A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1A, 10V  
Puissance - Max 900mW  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.7A, 2.9A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base NDS995  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NDS9952A

Attributs du produit NDS9952A NDS9952A NDS9948 NDS9953A
Modèle de produit NDS9952A NDS9952A NDS9948 NDS9953A
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 10V 320pF @ 10V 394pF @ 30V 350pF @ 10V
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1A, 10V 80mOhm @ 1A, 10V 250mOhm @ 2.3A, 10V 130mOhm @ 1A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base NDS995 NDS995 NDS994 NDS995
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Séries - - PowerTrench® -
Configuration N and P-Channel N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Puissance - Max 900mW 900mW 900mW 900mW
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA 2.8V @ 250µA 3V @ 250µA 2.8V @ 250µA
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 25nC @ 10V 13nC @ 10V 25nC @ 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 60V 30V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.7A, 2.9A 3.7A, 2.9A 2.3A 2.9A
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique NDS9952A PDF

Téléchargez NDS9952A PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NDS9952A - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 17/Aug/2020.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab Site Add 24/Nov/2016.pdf
Feuilles de données
NDS9952A.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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