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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFM220BTF
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFM220BTF - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
IRFM220BTF
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-IRFM220BTF
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
IRFM220BTF.pdf
En stock: 112190

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFM220BTF
Fairchild Semiconductor - IRFM220BTF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - IRFM220BTF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223-4  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 570mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Tc)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 390 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.13A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor IRFM220BTF

Attributs du produit IRFM220BTF IRFM460 IRFM210BTF IRFM360
Modèle de produit IRFM220BTF IRFM460 IRFM210BTF IRFM360
Fabricant Fairchild Semiconductor Infineon Technologies Fairchild Semiconductor IR
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Tc) 250W (Tc) 2W (Tc) -
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V -
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 9.3 nC @ 10 V -
Tension drain-source (Vdss) 200 V 500 V 200 V -
Package composant fournisseur SOT-223-4 TO-254AA SOT-223-4 -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) TO-261-4, TO-261AA -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Séries - HEXFET® - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.13A (Tc) 19A (Tc) 770mA (Tc) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 570mA, 10V 270mOhm @ 12A, 10V 1.5Ohm @ 390mA, 10V -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 390 pF @ 25 V 4300 pF @ 25 V 225 pF @ 25 V -
Emballer Bulk Bag Bulk -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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