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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFM460
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFM460 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFM460
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFM460
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 19A TO254AA
Description détaillée
Emballage
TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Fiche technique
IRFM460.pdf
En stock: 4520

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFM460
Infineon Technologies - IRFM460 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFM460

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-254AA  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 12A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc)  
Package / Boîte TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bag  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFM460

Attributs du produit IRFM460 IRFML8244TRPBF IRFM220BTF IRFM440
Modèle de produit IRFM460 IRFML8244TRPBF IRFM220BTF IRFM440
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Fairchild Semiconductor IR
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Tc) 5.8A (Ta) 1.13A (Tc) -
Tension drain-source (Vdss) 500 V 25 V 200 V -
Séries HEXFET® HEXFET® - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 10V -
Emballer Bag Tape & Reel (TR) Bulk -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 5.4 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.35V @ 10µA 4V @ 250µA -
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount -
Package composant fournisseur TO-254AA SOT-23 SOT-223-4 -
Package / Boîte TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-261-4, TO-261AA -
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc) 1.25W (Ta) 2.4W (Tc) -
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 25 V 430 pF @ 10 V 390 pF @ 25 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 12A, 10V 24mOhm @ 5.8A, 10V 800mOhm @ 570mA, 10V -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -

Fiche technique IRFM460 PDF

Téléchargez IRFM460 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFM460 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
Feuilles de données
IRFM460.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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