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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleHUF76439S3S
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HUF76439S3S - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
HUF76439S3S
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-HUF76439S3S
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
HUF76439S3S.pdf
État RoHS
En stock: 4280

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HUF76439S3S
Fairchild Semiconductor - HUF76439S3S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - HUF76439S3S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK (TO-263)  
Séries UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 180W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2745 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor HUF76439S3S

Attributs du produit HUF76439S3S HUF76432P3 HUF76439P3 HUF76437S3S
Modèle de produit HUF76439S3S HUF76432P3 HUF76439P3 HUF76437S3S
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Séries UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 59A (Tc) 75A (Tc) 71A (Tc)
Package composant fournisseur D2PAK (TO-263) TO-220-3 TO-220-3 D²PAK (TO-263)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 180W (Tc) 130W (Tc) 180W (Tc) 155W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 75A, 10V 17mOhm @ 59A, 10V 12mOhm @ 75A, 10V 14mOhm @ 71A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2745 pF @ 25 V 1765 pF @ 25 V 2745 pF @ 25 V 2230 pF @ 25 V

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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