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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleHUF76445P3
HUF76445P3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HUF76445P3 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
HUF76445P3
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-HUF76445P3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
HUF76445P3, HUF76445S3S.pdf
En stock: 4670

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Spécifications

Spécifications techniques HUF76445P3
onsemi - HUF76445P3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - HUF76445P3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 310W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4965 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  
Numéro de produit de base HUF76  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi HUF76445P3

Attributs du produit HUF76445P3 HUF76619D3S HUF76443P3 HUF76443P3
Modèle de produit HUF76445P3 HUF76619D3S HUF76443P3 HUF76443P3
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Numéro de produit de base HUF76 - HUF76 -
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Dissipation de puissance (max) 310W (Tc) 75W (Tc) 260W (Tc) 260W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4965 pF @ 25 V 767 pF @ 25 V 4115 pF @ 25 V 4115 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 TO-220-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 129 nC @ 10 V 129 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 75A, 10V 85mOhm @ 18A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-252, (D-Pak) TO-220-3 TO-220-3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 18A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 60 V 100 V 60 V 60 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Séries UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™

Fiche technique HUF76445P3 PDF

Téléchargez HUF76445P3 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour HUF76445P3 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf HUF76445P3, HUF76445S3S.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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