Spécifications
Spécifications techniques HGTP12N60A4D
Fairchild Semiconductor - HGTP12N60A4D Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - HGTP12N60A4D
| Attributs du produit |
Valeur des attributs
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| Fabricant |
Fairchild (onsemi) |
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| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) |
600 V |
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| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic |
2.7V @ 15V, 12A |
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| Condition de test |
390V, 12A, 10Ohm, 15V |
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| Td (marche / arrêt) à 25 ° C |
17ns/96ns |
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| énergie de commutation |
55µJ (on), 50µJ (off) |
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| Package composant fournisseur |
TO-220-3 |
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| Séries |
- |
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| Temps de recouvrement inverse (trr) |
30 ns |
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| Puissance - Max |
167 W |
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| Attributs du produit |
Valeur des attributs
| |
| Package / Boîte |
TO-220-3 |
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| Emballer |
Bulk |
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| Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Type de montage |
Through Hole |
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| Type d'entrée |
Standard |
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| type de IGBT |
- |
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| gate charge |
78 nC |
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| Courant - Collecteur pulsée (Icm) |
96 A |
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| Courant - Collecteur (Ic) (max) |
54 A |
|
Mode de transport
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| Pays communs Référence du temps logistique |
| Région |
Pays |
Heure logistique (jour) |
| Amérique |
États-Unis |
5 |
| Brésil |
7 |
| L'Europe |
Allemagne |
5 |
| Royaume-Uni |
4 |
| Italie |
5 |
| Océanie |
Australie |
6 |
| Nouvelle-Zélande |
5 |
| Asie |
Inde |
4 |
| Japon |
4 |
| Moyen-Orient |
Israël |
6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx |
| Frais d'expédition (kg) |
Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Note:
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HGTN30N60A4DIntersil (Renesas Electronics Corporation)IGBT Module