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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleHGTP12N60C3D
HGTP12N60C3D Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HGTP12N60C3D - onsemi

Fabricant Modèle de produit
HGTP12N60C3D
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-HGTP12N60C3D
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 600V 24A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
HGTP12N60C3D, HGT1S12N60C3DS.pdf
État RoHS
En stock: 3780

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HGTP12N60C3D
onsemi - HGTP12N60C3D Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - HGTP12N60C3D

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A  
Condition de test -  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -  
énergie de commutation 380µJ (on), 900µJ (off)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 40 ns  
Puissance - Max 104 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT -  
gate charge 48 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 96 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 24 A  
Numéro de produit de base HGTP12N60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi HGTP12N60C3D

Attributs du produit HGTP12N60C3D HGTP12N60C3 HGTP12N60A4 HGTP12N60A4
Modèle de produit HGTP12N60C3D HGTP12N60C3 HGTP12N60A4 HGTP12N60A4
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Puissance - Max 104 W 104 W 167 W 167 W
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 96 A 96 A 96 A 96 A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 24 A 24 A 54 A 54 A
gate charge 48 nC 48 nC 78 nC 78 nC
Séries - - - -
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Td (marche / arrêt) à 25 ° C - - 17ns/96ns 17ns/96ns
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
énergie de commutation 380µJ (on), 900µJ (off) 380µJ (on), 900µJ (off) 55µJ (on), 50µJ (off) 55µJ (on), 50µJ (off)
Condition de test - - 390V, 12A, 10Ohm, 15V 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A 2V @ 15V, 12A 2.7V @ 15V, 12A 2.7V @ 15V, 12A
Emballer Tube Tube Tube Tube
Temps de recouvrement inverse (trr) 40 ns - - -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
type de IGBT - - - -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 600 V 600 V 600 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base HGTP12N60 HGTP12N60 - HGTP12N60

Fiche technique HGTP12N60C3D PDF

Téléchargez HGTP12N60C3D PDF DataSheets et Documentation onsemi pour HGTP12N60C3D - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 29/Jan/2021.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf HGTP12N60C3D, HGT1S12N60C3DS.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly/Mat Chg 16/Jan/2020.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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