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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQP45N15V2
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQP45N15V2 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FQP45N15V2
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FQP45N15V2
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
FQP45N15V2.pdf
En stock: 4080

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQP45N15V2
Fairchild Semiconductor - FQP45N15V2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FQP45N15V2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 22.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 220W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3030 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 45A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FQP45N15V2

Attributs du produit FQP45N15V2 FQP45N15V2 FQP4N20 FQP44N10
Modèle de produit FQP45N15V2 FQP45N15V2 FQP4N20 FQP44N10
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Emballer Bulk Tube Tube Bulk
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3030 pF @ 25 V 3030 pF @ 25 V 220 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 220W (Tc) 220W (Tc) 45W (Tc) 146W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 6.5 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 45A (Tc) 45A (Tc) 3.6A (Tc) 43.5A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±25V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 22.5A, 10V 40mOhm @ 22.5A, 10V 1.4Ohm @ 1.8A, 10V 39mOhm @ 21.75A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 150 V 150 V 200 V 100 V
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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