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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQP46N15
FQP46N15 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQP46N15 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQP46N15
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQP46N15
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 45.6A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP46N15.pdf
État RoHS
En stock: 4300

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQP46N15
onsemi - FQP46N15 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQP46N15

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 22.8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 210W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3250 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 45.6A (Tc)  
Numéro de produit de base FQP46  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQP46N15

Attributs du produit FQP46N15 FQP4N20L FQP4N25 FQP47P06
Modèle de produit FQP46N15 FQP4N20L FQP4N25 FQP47P06
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 5V, 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 5.2 nC @ 5 V 5.6 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Numéro de produit de base FQP46 - - FQP47
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 45.6A (Tc) 3.8A (Tc) 3.6A (Tc) 47A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tension drain-source (Vdss) 150 V 200 V 250 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 22.8A, 10V 1.35Ohm @ 1.9A, 10V 1.75Ohm @ 1.8A, 10V 26mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 210W (Tc) 45W (Tc) 52W (Tc) 160W (Tc)
Vgs (Max) ±25V ±20V ±30V ±25V
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3250 pF @ 25 V 310 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V
Emballer Tube Bulk Tube Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel

Fiche technique FQP46N15 PDF

Téléchargez FQP46N15 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQP46N15 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP46N15.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Mold Chg 28/Oct/2019.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-FQP46N15

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