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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (bjt) - simple, pré-biaiséFJV3111RMTF
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FJV3111RMTF - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FJV3111RMTF
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FJV3111RMTF
Modèle ECAD
Description des pièces
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
FJV3111RMTF.pdf
État RoHS
En stock: 4840

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FJV3111RMTF
Fairchild Semiconductor - FJV3111RMTF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FJV3111RMTF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 40 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA  
Transistor Type NPN - Pre-Biased  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries -  
Résistance - Base (R1) 22 kOhms  
Puissance - Max 200 mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Bulk  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 250 MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 mA  
Numéro de produit de base FJV311  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FJV3111RMTF

Attributs du produit FJV3111RMTF FJV3114RMTF FJV4101RMTF FJV3110RMTF
Modèle de produit FJV3111RMTF FJV3114RMTF FJV4101RMTF FJV3110RMTF
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Package composant fournisseur SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 1mA, 10mA
Résistance - Base (R1) 22 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms 10 kOhms
Transistor Type NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased PNP - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Puissance - Max 200 mW 200 mW 200 mW 200 mW
Séries - - - -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 40 V 50 V 50 V 40 V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base FJV311 FJV311 FJV410 FJV311
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fréquence - Transition 250 MHz 250 MHz 200 MHz 250 MHz
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V 68 @ 5mA, 5V 20 @ 10mA, 5V 100 @ 1mA, 5V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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