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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (bjt) - simple, pré-biaiséFJV3113RMTF
FJV3113RMTF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FJV3113RMTF - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FJV3113RMTF
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FJV3113RMTF
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
FJV3113RMTF.pdf
État RoHS
En stock: 4860

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FJV3113RMTF
onsemi - FJV3113RMTF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FJV3113RMTF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor Type NPN - Pre-Biased  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries -  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms  
Résistance - Base (R1) 2.2 kOhms  
Puissance - Max 200 mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 250 MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 mA  
Numéro de produit de base FJV311  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FJV3113RMTF

Attributs du produit FJV3113RMTF FJV3114RMTF FJV4102RMTF FJV4102RMTF
Modèle de produit FJV3113RMTF FJV3114RMTF FJV4102RMTF FJV4102RMTF
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Transistor Type NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms 47 kOhms 10 kOhms 10 kOhms
Numéro de produit de base FJV311 FJV311 FJV410 FJV410
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package composant fournisseur SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
Résistance - Base (R1) 2.2 kOhms 4.7 kOhms 10 kOhms 10 kOhms
Puissance - Max 200 mW 200 mW 200 mW 200 mW
Fréquence - Transition 250 MHz 250 MHz 200 MHz 200 MHz
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V 68 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V
Séries - - - -

Fiche technique FJV3113RMTF PDF

Téléchargez FJV3113RMTF PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FJV3113RMTF - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 16/Jul/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
SOT23 Manufacturing Source 31/May2013.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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onsemi
32D-FJV3113RMTF

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