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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDZ202P
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDZ202P - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDZ202P
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDZ202P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA
Description détaillée
Emballage
12-WFBGA
Fiche technique
FDZ202P.pdf
En stock: 140860

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDZ202P
Fairchild Semiconductor - FDZ202P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDZ202P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 12-BGA (2x2.5)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte 12-WFBGA  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 884 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.5A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDZ202P

Attributs du produit FDZ202P FDZ204P FDZ193P FDZ197PZ
Modèle de produit FDZ202P FDZ204P FDZ193P FDZ197PZ
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Package / Boîte 12-WFBGA 9-WFBGA 6-UFBGA, WLCSP 6-UFBGA, WLCSP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5.5A, 4.5V 45mOhm @ 4.5A, 4.5V 90mOhm @ 1A, 4.5V 64mOhm @ 2A, 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.5A (Ta) 4.5A (Ta) 3A (Ta) 3.8A (Ta)
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Package composant fournisseur 12-BGA (2x2.5) 9-BGA (2x2.1) 6-WLCSP (1x1.5) 6-WLCSP (1.0x1.5)
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) 1.8W (Ta) 1.9W (Ta) 1.9W (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 884 pF @ 10 V 884 pF @ 10 V 660 pF @ 10 V 1570 pF @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.7V, 4.5V 1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 10 nC @ 10 V 25 nC @ 4.5 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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