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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDW2501N
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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FDW2501N - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDW2501N
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDW2501N
Modèle ECAD
Description des pièces
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Emballage
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fiche technique
FDW2501N.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 36600

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques FDW2501N
Fairchild Semiconductor - FDW2501N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDW2501N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-TSSOP  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 6A, 4.5V  
Puissance - Max 600mW  
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1290pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base FDW25  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDW2501N

Attributs du produit FDW2501N FDW2503NZ FDW2502P FDW2501NZ
Modèle de produit FDW2501N FDW2503NZ FDW2502P FDW2501NZ
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 6A, 4.5V 20mOhm @ 5.5A, 4.5V 35mOhm @ 4.4A, 4.5V 18mOhm @ 5.5A, 4.5V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A 5.5A 4.4A 5.5A
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1290pF @ 10V 1286pF @ 10V 1465pF @ 10V 1286pF @ 10V
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Package composant fournisseur 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Puissance - Max 600mW 600mW 600mW 600mW
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V 17nC @ 4.5V 21nC @ 5V 17nC @ 4.5V
Numéro de produit de base FDW25 FDW25 FDW25 FDW25

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
Contactez nous si vous avez des questions.

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