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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDW2501N
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FDW2501N - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDW2501N
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDW2501N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP
Emballage
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fiche technique
FDW2501N.pdf
Notre certification
En stock: 4160

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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques FDW2501N
onsemi - FDW2501N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDW2501N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-TSSOP  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 6A, 4.5V  
Puissance - Max 600mW  
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1290pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base FDW25  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDW2501N

Attributs du produit FDW2501N FDW2503N FDW2501NZ FDW2503NZ
Modèle de produit FDW2501N FDW2503N FDW2501NZ FDW2503NZ
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1290pF @ 10V 1082pF @ 10V 1286pF @ 10V 1286pF @ 10V
Puissance - Max 600mW 600mW 600mW 600mW
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Numéro de produit de base FDW25 FDW25 FDW25 FDW25
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 6A, 4.5V 21mOhm @ 5.5A, 4.5V 18mOhm @ 5.5A, 4.5V 20mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A 5.5A 5.5A 5.5A
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V 17nC @ 4.5V 17nC @ 4.5V 17nC @ 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique FDW2501N PDF

Téléchargez FDW2501N PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDW2501N - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FDW2501N.pdf

Mode de transport

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
Contactez nous si vous avez des questions.

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    +00852 9146 4856

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FDW2501N

onsemi
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