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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDS8449
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDS8449 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDS8449
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDS8449
Modèle ECAD
Description des pièces
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
FDS8449.pdf
En stock: 4800

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDS8449
Fairchild Semiconductor - FDS8449 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDS8449

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 7.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.6A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDS8449

Attributs du produit FDS8449 FDS8447 FDS86140 FDS8433A
Modèle de produit FDS8449 FDS8447 FDS86140 FDS8433A
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 7.6A, 10V 10.5mOhm @ 12.8A, 10V 9.8mOhm @ 11.2A, 10V 47mOhm @ 5A, 4.5V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.6A (Ta) 12.8A (Ta) 11.2A (Ta) 5A (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 20 V 2600 pF @ 20 V 2580 pF @ 50 V 1130 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) 2.5W (Ta)
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 100 V 20 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V 49 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 28 nC @ 5 V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±8V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 2.5V, 4.5V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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