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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDS86106
FDS86106 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDS86106 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDS86106
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDS86106
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
FDS86106.pdf
État RoHS
En stock: 81910

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDS86106
onsemi - FDS86106 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDS86106

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 3.4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 208 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.4A (Ta)  
Numéro de produit de base FDS86  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDS86106

Attributs du produit FDS86106 FDS8449 FDS8449 FDS86240
Modèle de produit FDS86106 FDS8449 FDS8449 FDS86240
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Dissipation de puissance (max) 5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 208 pF @ 50 V 760 pF @ 20 V 760 pF @ 20 V 2570 pF @ 75 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 10 V 11 nC @ 5 V 11 nC @ 5 V 40 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 3.4A, 10V 29mOhm @ 7.6A, 10V 29mOhm @ 7.6A, 10V 19.8mOhm @ 7.5A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 40 V 40 V 150 V
Numéro de produit de base FDS86 - FDS84 FDS86
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.4A (Ta) 7.6A (Ta) 7.6A (Ta) 7.5A (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique FDS86106 PDF

Téléchargez FDS86106 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDS86106 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Rev 20/Dec/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Feuilles de données
FDS86106.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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