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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDP6670AL
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDP6670AL - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDP6670AL
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDP6670AL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
FDP6670AL.pdf
État RoHS
En stock: 46910

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDP6670AL
Fairchild Semiconductor - FDP6670AL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDP6670AL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 40A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 68W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2440 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDP6670AL

Attributs du produit FDP6670AL FDP6035AL FDP7030BL FDP6035L
Modèle de produit FDP6670AL FDP6035AL FDP7030BL FDP6035L
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2440 pF @ 15 V 1250 pF @ 15 V 1760 pF @ 15 V 1230 pF @ 15 V
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 5 V 18 nC @ 5 V 24 nC @ 5 V 46 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 40A, 10V 12mOhm @ 24A, 10V 9mOhm @ 30A, 10V 11mOhm @ 26A, 10V
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Ta) 48A (Ta) 60A (Ta) 58A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Dissipation de puissance (max) 68W (Tc) 52W (Tc) 60W (Tc) 75W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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