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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDP6035AL
FDP6035AL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDP6035AL - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDP6035AL
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDP6035AL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FDP6035AL, FDB6035AL.pdf
En stock: 4060

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDP6035AL
onsemi - FDP6035AL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDP6035AL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 24A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 52W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 48A (Ta)  
Numéro de produit de base FDP60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDP6035AL

Attributs du produit FDP6035AL FDP5N50 FDP6035L FDP6670AL
Modèle de produit FDP6035AL FDP5N50 FDP6035L FDP6670AL
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 500 V 30 V 30 V
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V 15 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 33 nC @ 5 V
Numéro de produit de base FDP60 - - -
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Séries PowerTrench® UniFET™ PowerTrench® PowerTrench®
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 52W (Tc) 85W (Tc) 75W (Tc) 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 24A, 10V 1.4Ohm @ 2.5A, 10V 11mOhm @ 26A, 10V 6.5mOhm @ 40A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 48A (Ta) 5A (Tc) 58A (Tc) 80A (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 15 V 640 pF @ 25 V 1230 pF @ 15 V 2440 pF @ 15 V
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

Fiche technique FDP6035AL PDF

Téléchargez FDP6035AL PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDP6035AL - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FDP6035AL, FDB6035AL.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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