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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMS8660AS
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMS8660AS - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDMS8660AS
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDMS8660AS
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
FDMS8660AS.pdf
État RoHS
En stock: 41770

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMS8660AS
Fairchild Semiconductor - FDMS8660AS Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDMS8660AS

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 28A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 104W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5865 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 83 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Ta), 49A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDMS8660AS

Attributs du produit FDMS8660AS FDMS8662 FDMS8662 FDMS8670
Modèle de produit FDMS8660AS FDMS8662 FDMS8662 FDMS8670
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 83 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 28A, 10V 2mOhm @ 28A, 10V 2mOhm @ 28A, 10V 2.6mOhm @ 24A, 10V
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5865 pF @ 15 V 6420 pF @ 15 V 6420 pF @ 15 V 3940 pF @ 15 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Ta), 49A (Tc) 28A (Ta), 49A (Tc) 28A (Ta), 49A (Tc) 24A (Ta), 42A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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