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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMS8670
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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FDMS8670 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMS8670
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMS8670
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 24A/42A 8PQFN
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
FDMS8670.pdf
Notre certification
En stock: 4520

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques FDMS8670
onsemi - FDMS8670 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMS8670

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 24A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 78W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3940 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Ta), 42A (Tc)  
Numéro de produit de base FDMS86  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMS8670

Attributs du produit FDMS8670 FDMS8662 FDMS8662 FDMS8660S
Modèle de produit FDMS8670 FDMS8662 FDMS8662 FDMS8660S
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Numéro de produit de base FDMS86 - FDMS86 FDMS86
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3940 pF @ 15 V 6420 pF @ 15 V 6420 pF @ 15 V 4345 pF @ 15 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 113 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 24A, 10V 2mOhm @ 28A, 10V 2mOhm @ 28A, 10V 2.4mOhm @ 25A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Ta), 42A (Tc) 28A (Ta), 49A (Tc) 28A (Ta), 49A (Tc) 25A (Ta), 40A (Tc)

Fiche technique FDMS8670 PDF

Téléchargez FDMS8670 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMS8670 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Materials 14/Apr/2009.pdf
Feuilles de données
FDMS8670.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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