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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMS86102LZ
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMS86102LZ - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDMS86102LZ
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDMS86102LZ
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
FDMS86102LZ Datasheet.pdf
En stock: 5210

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMS86102LZ
Fairchild Semiconductor - FDMS86102LZ Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDMS86102LZ

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 69W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1305 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta), 22A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDMS86102LZ

Attributs du produit FDMS86102LZ FDMS86150 FDMS86104 FDMS8560S
Modèle de produit FDMS86102LZ FDMS86150 FDMS86104 FDMS8560S
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 10V 4.85mOhm @ 16A, 10V 24mOhm @ 7A, 10V 1.8mOhm @ 30A, 10V
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1305 pF @ 50 V 4065 pF @ 50 V 923 pF @ 50 V 4350 pF @ 13 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2.2V @ 1mA
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) Power56 8-PQFN (5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 69W (Tc) 2.7W (Ta), 156W (Tc) 2.5W (Ta), 73W (Tc) 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±12V
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta), 22A (Tc) 16A (Ta), 60A (Tc) 7A (Ta), 16A (Tc) 30A (Ta), 70A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique FDMS86102LZ PDF

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Feuilles de données
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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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