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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMS86102LZ
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMS86102LZ - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMS86102LZ
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMS86102LZ
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
FDMS86102LZ Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 39885

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMS86102LZ
onsemi - FDMS86102LZ Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMS86102LZ

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 69W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1305 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta), 22A (Tc)  
Numéro de produit de base FDMS86102  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMS86102LZ

Attributs du produit FDMS86102LZ FDMS8560S FDMS8570S FDMS86101A
Modèle de produit FDMS86102LZ FDMS8560S FDMS8570S FDMS86101A
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 25 V 25 V 100 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±12V ±12V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta), 22A (Tc) 30A (Ta), 70A (Tc) 24A (Ta), 60A (Tc) 13A (Ta), 60A (Tc)
Séries PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.2V @ 1mA 2.2V @ 1mA 4V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1305 pF @ 50 V 4350 pF @ 13 V 2825 pF @ 13 V 4120 pF @ 50 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 425 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V
Numéro de produit de base FDMS86102 FDMS85 FDMS85 FDMS86101
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 10V 1.8mOhm @ 30A, 10V 2.8mOhm @ 24A, 10V 8mOhm @ 13A, 10V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 69W (Tc) 2.5W (Ta), 65W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN

Fiche technique FDMS86102LZ PDF

Téléchargez FDMS86102LZ PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMS86102LZ - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Feuilles de données
FDMS86102LZ Datasheet.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices 21/Feb/2019.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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