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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMS8027S
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMS8027S - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDMS8027S
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDMS8027S
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
FDMS8027S.pdf
En stock: 39870

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMS8027S
Fairchild Semiconductor - FDMS8027S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDMS8027S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 18A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 36W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1815 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Ta), 22A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDMS8027S

Attributs du produit FDMS8027S FDMS8050 FDMS8027S FDMS8026S
Modèle de produit FDMS8027S FDMS8050 FDMS8027S FDMS8026S
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 285 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Ta), 22A (Tc) 55A (Tc) 18A (Ta), 22A (Tc) 19A (Ta), 22A (Tc)
Séries PowerTrench®, SyncFET™ - PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 36W (Tc) 156W (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 18A, 10V 0.65mOhm @ 55A, 10V 5mOhm @ 18A, 10V 4.3mOhm @ 19A, 10V
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1815 pF @ 15 V 22610 pF @ 15 V 1815 pF @ 15 V 2280 pF @ 15 V
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 750µA 3V @ 1mA 3V @ 1mA

Mode de transport

Délai de livraison

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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