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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMS8026S
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMS8026S - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDMS8026S
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDMS8026S
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
FDMS8026S.pdf
En stock: 34990

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMS8026S
Fairchild Semiconductor - FDMS8026S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDMS8026S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 19A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 41W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2280 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Ta), 22A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDMS8026S

Attributs du produit FDMS8026S FDMS8025S FDMS8026S FDMS8027S
Modèle de produit FDMS8026S FDMS8025S FDMS8026S FDMS8027S
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2280 pF @ 15 V 3000 pF @ 15 V 2280 pF @ 15 V 1815 pF @ 15 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 1mA
Fonction FET - - - -
Séries PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Ta), 22A (Tc) 24A (Ta), 49A (Tc) 19A (Ta), 22A (Tc) 18A (Ta), 22A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 41W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 19A, 10V 2.8mOhm @ 24A, 10V 4.3mOhm @ 19A, 10V 5mOhm @ 18A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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