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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMA8051L
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMA8051L - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDMA8051L
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDMA8051L
Modèle ECAD
Description des pièces
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Description détaillée
Emballage
6-WDFN Exposed Pad
Fiche technique
FDMA8051L.pdf
En stock: 5300

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMA8051L
Fairchild Semiconductor - FDMA8051L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDMA8051L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-MicroFET (2x2)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta)  
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1260 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDMA8051L

Attributs du produit FDMA8051L FDMA7670 FDMA7630 FDMA8884
Modèle de produit FDMA8051L FDMA7670 FDMA7630 FDMA8884
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 7.5 nC @ 10 V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta) 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 10A, 10V 15mOhm @ 11A, 10V 13mOhm @ 11A, 10V 23mOhm @ 6.5A, 10V
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1260 pF @ 20 V 1360 pF @ 15 V 1360 pF @ 15 V 450 pF @ 15 V
Tension drain-source (Vdss) 40 V 30 V 30 V 30 V
Package composant fournisseur 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 11A (Ta) 11A (Ta) 6.5A (Ta), 8A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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