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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMA86265P
FDMA86265P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMA86265P - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMA86265P
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMA86265P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Description détaillée
Emballage
6-WDFN Exposed Pad
Fiche technique
FDMA86265P.pdf
État RoHS
En stock: 92520

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMA86265P
onsemi - FDMA86265P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMA86265P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-MicroFET (2x2)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta)  
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 75 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1A (Ta)  
Numéro de produit de base FDMA86265  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMA86265P

Attributs du produit FDMA86265P FDMA86108LZ FDMA8051L FDMA905P
Modèle de produit FDMA86265P FDMA86108LZ FDMA8051L FDMA905P
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Tension drain-source (Vdss) 150 V 100 V 40 V 12 V
Package composant fournisseur 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 1A, 10V 243mOhm @ 2.2A, 10V 14mOhm @ 10A, 10V 16mOhm @ 10A, 4.5V
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base FDMA86265 - - -
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±8V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1A (Ta) 2.2A (Ta) 10A (Tc) 10A (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 10 V 3 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 29 nC @ 6 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 75 V 163 pF @ 50 V 1260 pF @ 20 V 3405 pF @ 6 V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®

Fiche technique FDMA86265P PDF

Téléchargez FDMA86265P PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMA86265P - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Feuilles de données
FDMA86265P.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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