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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMA420NZ
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMA420NZ - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDMA420NZ
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDMA420NZ
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Description détaillée
Emballage
6-WDFN Exposed Pad
Fiche technique
FDMA420NZ.pdf
En stock: 3990

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMA420NZ
Fairchild Semiconductor - FDMA420NZ Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDMA420NZ

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-MicroFET (2x2)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.7A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta)  
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 935 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.7A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDMA420NZ

Attributs du produit FDMA420NZ FDMA510PZ FDMA410NZ FDMA520PZ
Modèle de produit FDMA420NZ FDMA510PZ FDMA410NZ FDMA520PZ
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta)
Package composant fournisseur 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 27 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V 20 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 935 pF @ 10 V 1480 pF @ 10 V 1080 pF @ 10 V 1645 pF @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.7A, 4.5V 30mOhm @ 7.8A, 4.5V 23mOhm @ 9.5A, 4.5V 30mOhm @ 7.3A, 4.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.7A (Ta) 7.8A (Ta) 9.5A (Ta) 7.3A (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±12V ±8V ±8V ±12V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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