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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMA410NZT
FDMA410NZT Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMA410NZT - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMA410NZT
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMA410NZT
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Description détaillée
Emballage
6-UDFN Exposed Pad
Fiche technique
FDMA410NZT.pdf
État RoHS
En stock: 124780

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMA410NZT
onsemi - FDMA410NZT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMA410NZT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-UDFN (2.05x2.05)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 9.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta)  
Package / Boîte 6-UDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.5A (Ta)  
Numéro de produit de base FDMA410  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMA410NZT

Attributs du produit FDMA410NZT FDMA410NZT FDMA420NZ FDMA420NZ
Modèle de produit FDMA410NZT FDMA410NZT FDMA420NZ FDMA420NZ
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Séries - - PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (Max) ±8V ±8V ±12V ±12V
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 9.5A, 4.5V 23mOhm @ 9.5A, 4.5V 30mOhm @ 5.7A, 4.5V 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 10 V 1310 pF @ 10 V 935 pF @ 10 V 935 pF @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur 6-UDFN (2.05x2.05) 6-UDFN (2.05x2.05) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.5A (Ta) 9.5A (Ta) 5.7A (Ta) 5.7A (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V
Package / Boîte 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base FDMA410 - FDMA420 -

Fiche technique FDMA410NZT PDF

Téléchargez FDMA410NZT PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMA410NZT - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Feuilles de données
FDMA410NZT.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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