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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDD2612
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDD2612 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDD2612
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDD2612
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
FDD2612.pdf
État RoHS
En stock: 49800

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDD2612
Fairchild Semiconductor - FDD2612 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDD2612

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 720mOhm @ 1.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 42W (Ta)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 234 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.9A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDD2612

Attributs du produit FDD2612 FDD26AN06A0 FDD2582 FDD2670
Modèle de produit FDD2612 FDD26AN06A0 FDD2582 FDD2670
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (Max) @ Id, Vgs 720mOhm @ 1.5A, 10V 26mOhm @ 36A, 10V 66mOhm @ 7A, 10V 130mOhm @ 3.6A, 10V
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 234 pF @ 100 V 800 pF @ 25 V 1295 pF @ 25 V 1228 pF @ 100 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 6V, 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.9A (Ta) 7A (Ta), 36A (Tc) 3.7A (Ta), 21A (Tc) 3.6A (Ta)
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 200 V 60 V 150 V 200 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA
Dissipation de puissance (max) 42W (Ta) 75W (Tc) 95W (Tc) 3.2W (Ta), 70W (Tc)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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