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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDD26AN06A0
FDD26AN06A0 Image
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FDD26AN06A0 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDD26AN06A0
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDD26AN06A0
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
FDD26AN06A0.pdf
Notre certification
En stock: 4460

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Quantité
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Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques FDD26AN06A0
onsemi - FDD26AN06A0 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDD26AN06A0

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 36A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 75W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta), 36A (Tc)  
Numéro de produit de base FDD26  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDD26AN06A0

Attributs du produit FDD26AN06A0 FDD2582 FDD2612 FDD2670
Modèle de produit FDD26AN06A0 FDD2582 FDD2612 FDD2670
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Numéro de produit de base FDD26 FDD258 - FDD267
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta), 36A (Tc) 3.7A (Ta), 21A (Tc) 4.9A (Ta) 3.6A (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 6V, 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 150 V 200 V 200 V
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V 1295 pF @ 25 V 234 pF @ 100 V 1228 pF @ 100 V
Dissipation de puissance (max) 75W (Tc) 95W (Tc) 42W (Ta) 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 36A, 10V 66mOhm @ 7A, 10V 720mOhm @ 1.5A, 10V 130mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V

Fiche technique FDD26AN06A0 PDF

Téléchargez FDD26AN06A0 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDD26AN06A0 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FDD26AN06A0.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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