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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDC634P
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDC634P - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDC634P
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDC634P
Modèle ECAD
Description des pièces
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
FDC634P.pdf
En stock: 3700

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDC634P
Fairchild Semiconductor - FDC634P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDC634P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SuperSOT™-6  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 779 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDC634P

Attributs du produit FDC634P FDC634P FDC636P FDC637BNZ
Modèle de produit FDC634P FDC634P FDC636P FDC637BNZ
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Package composant fournisseur SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
Fonction FET - - - -
Séries PowerTrench® PowerTrench® - PowerTrench®
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V 8.5 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±12V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Ta) 3.5A (Ta) 2.8A (Ta) 6.2A (Ta)
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 779 pF @ 10 V 779 pF @ 10 V 390 pF @ 10 V 895 pF @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.5A, 4.5V 80mOhm @ 3.5A, 4.5V 130mOhm @ 2.8A, 4.5V 24mOhm @ 6.2A, 4.5V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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