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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDC634P
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDC634P - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDC634P
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDC634P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 3.5A SUPERSOT6
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
FDC634P.pdf
État RoHS
En stock: 177530

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDC634P
onsemi - FDC634P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDC634P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SuperSOT™-6  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 779 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Ta)  
Numéro de produit de base FDC634  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDC634P

Attributs du produit FDC634P FDC636P FDC637BNZ FDC634P
Modèle de produit FDC634P FDC636P FDC637BNZ FDC634P
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Ta) 2.8A (Ta) 6.2A (Ta) 3.5A (Ta)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±12V ±8V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.5A, 4.5V 130mOhm @ 2.8A, 4.5V 24mOhm @ 6.2A, 4.5V 80mOhm @ 3.5A, 4.5V
Numéro de produit de base FDC634 FDC636 FDC637 -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 8.5 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V
Séries PowerTrench® - PowerTrench® PowerTrench®
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 779 pF @ 10 V 390 pF @ 10 V 895 pF @ 10 V 779 pF @ 10 V
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel

Fiche technique FDC634P PDF

Téléchargez FDC634P PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDC634P - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Marking Change 07/Oct/2022.pdf
Conception / spécification PCN
Marking Change 07/Oct/2022.pdf Marking Change 17/Nov/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Chgs 13/Dec/2021.pdf
Feuilles de données
FDC634P.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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