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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDB7042L
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDB7042L - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDB7042L
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDB7042L
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
FDB7042L.pdf
État RoHS
En stock: 77690

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDB7042L
Fairchild Semiconductor - FDB7042L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDB7042L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250mA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263AB  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 83W (Ta)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2418 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDB7042L

Attributs du produit FDB7042L FDB8160 FDB7030BLS FDB8160
Modèle de produit FDB7042L FDB8160 FDB7030BLS FDB8160
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 4.5 V 243 nC @ 10 V 24 nC @ 5 V 243 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250mA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 83W (Ta) 254W (Tc) 60W (Tc) 254W (Tc)
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Ta) 80A (Tc) 60A (Ta) 80A (Tc)
Package composant fournisseur TO-263AB D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) TO-263AB
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±20V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 25A, 10V 1.8mOhm @ 80A, 10V 9mOhm @ 30A, 10V 1.8mOhm @ 80A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2418 pF @ 15 V 11825 pF @ 15 V 1760 pF @ 15 V 11825 pF @ 15 V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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