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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDB8160
FDB8160 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDB8160 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDB8160
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDB8160
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
FDB8160.pdf
En stock: 3900

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDB8160
onsemi - FDB8160 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDB8160

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 80A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 254W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11825 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 243 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  
Numéro de produit de base FDB816  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDB8160

Attributs du produit FDB8160 FDB8132_F085 FDB8030L FDB8444
Modèle de produit FDB8160 FDB8132_F085 FDB8030L FDB8444
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 254W (Tc) 341W (Tc) 187W (Tc) 167W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 40 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 243 nC @ 10 V 350 nC @ 13 V 170 nC @ 5 V 128 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11825 pF @ 15 V 14100 pF @ 15 V 10500 pF @ 15 V 8035 pF @ 25 V
Numéro de produit de base FDB816 FDB813 FDB803 FDB844
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Ta) 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 80A, 10V 1.6mOhm @ 80A, 10V 3.5mOhm @ 80A, 10V 5.5mOhm @ 70A, 10V
Fonction FET - - - -
Séries PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Fiche technique FDB8160 PDF

Téléchargez FDB8160 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDB8160 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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