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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDAF59N30
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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FDAF59N30 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDAF59N30
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDAF59N30
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 300V 34A TO3PF
Emballage
TO-3P-3 Full Pack
Fiche technique
FDAF59N30.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 4760

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Quantité
OPTION EXPRESS
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques FDAF59N30
Fairchild Semiconductor - FDAF59N30 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDAF59N30

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3PF  
Séries UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 17A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 161W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4670 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 300 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 34A (Tc)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDAF59N30

Attributs du produit FDAF59N30 FDA75N28 FDA8440 FDA70N20
Modèle de produit FDAF59N30 FDA75N28 FDA8440 FDA70N20
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-3PF TO-3PN TO-3PN TO-3PN
Tension drain-source (Vdss) 300 V 280 V 40 V 200 V
Séries UniFET™ UniFET™ PowerTrench® UniFET™
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4670 pF @ 25 V 6700 pF @ 25 V 24740 pF @ 25 V 3970 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 34A (Tc) 75A (Tc) 30A (Ta), 100A (Tc) 70A (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 144 nC @ 10 V 450 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 3V @ 250µA 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 17A, 10V 41mOhm @ 37.5A, 10V 2.1mOhm @ 80A, 10V 35mOhm @ 35A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Package / Boîte TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Dissipation de puissance (max) 161W (Tc) 520W (Tc) 306W (Tc) 417W (Tc)

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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