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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDAF59N30
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDAF59N30 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDAF59N30
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDAF59N30
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 300V 34A TO3PF
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3 Full Pack
Fiche technique
FDAF59N30.pdf
En stock: 4140

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDAF59N30
onsemi - FDAF59N30 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDAF59N30

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3PF  
Séries UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 17A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 161W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4670 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 300 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 34A (Tc)  
Numéro de produit de base FDAF59  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDAF59N30

Attributs du produit FDAF59N30 FDA75N28 FDAF59N30 FDA8440
Modèle de produit FDAF59N30 FDA75N28 FDAF59N30 FDA8440
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Numéro de produit de base FDAF59 FDA75 - FDA84
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4670 pF @ 25 V 6700 pF @ 25 V 4670 pF @ 25 V 24740 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 300 V 280 V 300 V 40 V
Package / Boîte TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3, SC-65-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 144 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 450 nC @ 10 V
Séries UniFET™ UniFET™ UniFET™ PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 17A, 10V 41mOhm @ 37.5A, 10V 56mOhm @ 17A, 10V 2.1mOhm @ 80A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-3PF TO-3PN TO-3PF TO-3PN
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 3V @ 250µA
Emballer Tube Tube Tube Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 34A (Tc) 75A (Tc) 34A (Tc) 30A (Ta), 100A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 161W (Tc) 520W (Tc) 161W (Tc) 306W (Tc)

Fiche technique FDAF59N30 PDF

Téléchargez FDAF59N30 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDAF59N30 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FDAF59N30.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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