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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDA16N50LDTU
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDA16N50LDTU - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDA16N50LDTU
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDA16N50LDTU
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads)
Fiche technique
FDA16N50LDTU.pdf
En stock: 29299

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDA16N50LDTU
Fairchild Semiconductor - FDA16N50LDTU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDA16N50LDTU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3PN (L-Forming)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 8.3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 205W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1945 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16.5A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDA16N50LDTU

Attributs du produit FDA16N50LDTU FDA16N50 FDA20N50-F109 FDA16N50
Modèle de produit FDA16N50LDTU FDA16N50 FDA20N50-F109 FDA16N50
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Séries - UniFET™ UniFET™ UniFET™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16.5A (Tc) 16.5A (Tc) 22A (Tc) 16.5A (Tc)
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads) TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1945 pF @ 25 V 1945 pF @ 25 V 3120 pF @ 25 V 1945 pF @ 25 V
Package composant fournisseur TO-3PN (L-Forming) TO-3PN TO-3PN TO-3PN
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 205W (Tc) 205W (Tc) 280W (Tc) 205W (Tc)
Emballer Bulk Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 8.3A, 10V 380mOhm @ 8.3A, 10V 230mOhm @ 11A, 10V 380mOhm @ 8.3A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 59.5 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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