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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCPF850N80Z
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCPF850N80Z - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FCPF850N80Z
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FCPF850N80Z
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FCPF850N80Z.pdf
En stock: 4470

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCPF850N80Z
Fairchild Semiconductor - FCPF850N80Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FCPF850N80Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 600µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F  
Séries SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 28.4W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1315 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)  
Numéro de produit de base FCPF850  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FCPF850N80Z

Attributs du produit FCPF850N80Z FCPF850N80Z FCPF7N60 FCPF650N80Z
Modèle de produit FCPF850N80Z FCPF850N80Z FCPF7N60 FCPF650N80Z
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220F TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 800 V 800 V 600 V 800 V
Emballer Bulk Tube Bulk Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 600µA 4.5V @ 600µA 5V @ 250µA 4.5V @ 800µA
Séries SuperFET® II SuperFET® II SuperFET™ SuperFET® II
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base FCPF850 FCPF850 - FCPF650
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1315 pF @ 100 V 1315 pF @ 100 V 920 pF @ 25 V 1565 pF @ 100 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 3A, 10V 850mOhm @ 3A, 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V 650mOhm @ 4A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc) 6A (Tc) 7A (Tc) 8A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 28.4W (Tc) 28.4W (Tc) 31W (Tc) 30.5W (Tc)

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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