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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCPF600N65S3R0L
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCPF600N65S3R0L - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCPF600N65S3R0L
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCPF600N65S3R0L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 6A TO220F-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FCPF600N65S3R0L.pdf
État RoHS
En stock: 5230

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCPF600N65S3R0L
onsemi - FCPF600N65S3R0L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCPF600N65S3R0L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 600µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries SuperFET® III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 24W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 465 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)  
Numéro de produit de base FCPF600  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCPF600N65S3R0L

Attributs du produit FCPF600N65S3R0L FCPF400N80ZL1 FCPF600N60Z FCPF650N80Z
Modèle de produit FCPF600N65S3R0L FCPF400N80ZL1 FCPF600N60Z FCPF650N80Z
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 600µA 4.5V @ 1.1mA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 800µA
Tension drain-source (Vdss) 650 V 800 V 600 V 800 V
Séries SuperFET® III SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3A, 10V 400mOhm @ 5.5A, 10V 600mOhm @ 3.7A, 10V 650mOhm @ 4A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc) 11A (Tc) 7.4A (Tc) 8A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 24W (Tc) 35.7W (Tc) 89W (Tc) 30.5W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 465 pF @ 400 V 2350 pF @ 100 V 1120 pF @ 25 V 1565 pF @ 100 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Numéro de produit de base FCPF600 FCPF400 - FCPF650

Fiche technique FCPF600N65S3R0L PDF

Téléchargez FCPF600N65S3R0L PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCPF600N65S3R0L - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly Chg 14/Feb/2020.pdf
Feuilles de données
FCPF600N65S3R0L.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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