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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleMMBT5551
MMBT5551 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MMBT5551 - Diotec Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
MMBT5551
Fabricant
Diotec Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-MMBT5551
Modèle ECAD
Description des pièces
BJT SOT-23 160V 600MA
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
MMBT5551 Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 1168200

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MMBT5551
Diotec Semiconductor - MMBT5551 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diotec Semiconductor - MMBT5551

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diotec Semiconductor  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 160 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA  
Transistor Type NPN  
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236)  
Séries -  
Puissance - Max 250 mW  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 300MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 50nA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 600 mA  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diotec Semiconductor MMBT5551

Attributs du produit MMBT5551 MMBT5551-TP MMBT5401LT3G MMBT5551
Modèle de produit MMBT5551 MMBT5551-TP MMBT5401LT3G MMBT5551
Fabricant Diotec Semiconductor Micro Commercial Co onsemi onsemi
Fréquence - Transition 300MHz 100MHz 300MHz 100MHz
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 160 V 160 V 150 V 160 V
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236) SOT-23 SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 50nA (ICBO) 50nA (ICBO) 50nA (ICBO) 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA 500mV @ 5mA, 50mA 500mV @ 5mA, 50mA 200mV @ 5mA, 50mA
Puissance - Max 250 mW 300 mW 300 mW 350 mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries - - - -
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V 100 @ 10mA, 5V 60 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor Type NPN NPN PNP NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max) 600 mA 600 mA 500 mA 600 mA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique MMBT5551 PDF

Téléchargez MMBT5551 PDF DataSheets et Documentation Diotec Semiconductor pour MMBT5551 - Diotec Semiconductor.

Feuilles de données
MMBT5551 Datasheet.pdf

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Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Diotec Semiconductor
32D-MMBT5551

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