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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleMMBT5551-7-F
MMBT5551-7-F Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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MMBT5551-7-F - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
MMBT5551-7-F
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-MMBT5551-7-F
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
MMBT5551.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 923900

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques MMBT5551-7-F
Diodes Incorporated - MMBT5551-7-F Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - MMBT5551-7-F

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 160 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA  
Transistor Type NPN  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Puissance - Max 300 mW  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 300MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 600 mA  
Numéro de produit de base MMBT5551  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated MMBT5551-7-F

Attributs du produit MMBT5551-7-F MMBT5550LT1G MMBT5551 MMBT5551
Modèle de produit MMBT5551-7-F MMBT5550LT1G MMBT5551 MMBT5551
Fabricant Diodes Incorporated onsemi ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED onsemi
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA (ICBO) 100nA 50nA (ICBO) 50nA (ICBO)
Transistor Type NPN NPN NPN NPN
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 160 V 140 V 160 V 160 V
Numéro de produit de base MMBT5551 MMBT5550 - MMBT5551
Séries Automotive, AEC-Q101 - - -
Package composant fournisseur SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3L SOT-23-3
Courant - Collecteur (Ic) (max) 600 mA 600 mA 600 mA 600 mA
Fréquence - Transition 300MHz - 100MHz 100MHz
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA 250mV @ 5mA, 50mA 200mV @ 5mA, 50mA 200mV @ 5mA, 50mA
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V 60 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V
Puissance - Max 300 mW 225 mW 350 mW 350 mW

Fiche technique MMBT5551-7-F PDF

Téléchargez MMBT5551-7-F PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour MMBT5551-7-F - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Autre
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
Conception / spécification PCN
Green Encapsulate 15/May/2008.pdf Die Passivation 13/Jun/2023.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Chg 5/Apr/2021.pdf
Feuilles de données
MMBT5551.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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