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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMP6110SSSQ-13
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMP6110SSSQ-13 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMP6110SSSQ-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMP6110SSSQ-13
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET PCH 60V 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
DMP6110SSSQ.pdf
État RoHS
En stock: 165730

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMP6110SSSQ-13
Diodes Incorporated - DMP6110SSSQ-13 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMP6110SSSQ-13

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 4.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19.4 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.3A (Ta), 7.8A (Tc)  
Numéro de produit de base DMP6110  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMP6110SSSQ-13

Attributs du produit DMP6110SSSQ-13 DMP6185SE-13 DMP6050SFG-13 DMP6110SSDQ-13
Modèle de produit DMP6110SSSQ-13 DMP6185SE-13 DMP6050SFG-13 DMP6110SSDQ-13
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Ta) 1.2W (Ta) 1.1W (Ta) 1.2W (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-261-4, TO-261AA 8-PowerVDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 30 V 708 pF @ 30 V 1293 pF @ 30 V 969 pF @ 30 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 - Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 4.5A, 10V 150mOhm @ 2.2A, 10V 50mOhm @ 5A, 10V 105mOhm @ 4.5A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.3A (Ta), 7.8A (Tc) 3A (Ta) 4.8A (Ta) 7.8A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19.4 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 17.2 nC @ 10 V
Numéro de produit de base DMP6110 DMP6185 DMP6050 DMP6110
Package composant fournisseur 8-SO SOT-223-3 PowerDI3333-8 8-SO
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique DMP6110SSSQ-13 PDF

Téléchargez DMP6110SSSQ-13 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMP6110SSSQ-13 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Feuilles de données
DMP6110SSSQ.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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